CSD13306W - Texas Instruments

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Kynix Teil #: KY13-CSD13306W
Hersteller Teil #: CSD13306W
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller: Texas Instruments
Beschreibung: MOSFET N-CH 12V 3.5A
Verpackung: 6-UFBGA, DSBGA
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Factory Lead Time  
6 Weeks
Contact Plating  
Copper, Silver, Tin
Mount  
Surface Mount
Mounting Type  
Surface Mount
Package / Case  
6-UFBGA, DSBGA
Number of Pins  
6
Transistor Element Material  
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃  
3.5A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)  
2.5V 4.5V
Number of Elements  
1
Power Dissipation (Max)  
1.9W Ta
Turn Off Delay Time  
20 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id  
1.3V @ 250μA
Operating Temperature  
-55°C~150°C TJ
Packaging  
Tape & Reel (TR)
Series  
NexFET™
JESD-609 Code  
e1
Pbfree Code  
yes
Part Status  
ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
1 (Unlimited)
Number of Terminations  
6
ECCN Code  
EAR99
Terminal Finish  
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Additional Feature  
ULTRA LOW RESISTANCE
Terminal Position  
BOTTOM
Terminal Form  
BALL
Base Part Number  
CSD13306
Element Configuration  
Single
Operating Mode  
ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time  
7 ns
FET Type  
N-Channel
Transistor Application  
SWITCHING
Rds On (Max) @ Id, Vgs  
10.2m Ω @ 1.5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds  
1370pF @ 6V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs  
11.2nC @ 4.5V
Rise Time  
11ns
Drain to Source Voltage (Vdss)  
12V
Vgs (Max)  
±10V
Fall Time (Typ)  
8 ns
Continuous Drain Current (ID)  
3.5A
Gate to Source Voltage (Vgs)  
10V
Drain-source On Resistance-Max  
0.0155Ohm
DS Breakdown Voltage-Min  
12V
Feedback Cap-Max (Crss)  
294 pF
Height  
1mm
Length  
1.5mm
Width  
1.8mm
Thickness  
2mm
RoHS Status  
ROHS3 Compliant
Lead Free  
Lead Free
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Telefon Teilenummer Paket Beschreibung
CSD13306W 6-UFBGA, DSBGA MOSFET N-CH 12V 3.5A
DMP1045U-7 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 P-Channel 12 V 31 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT-23-3
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Häufig gestellte Fragen

What is a p>NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL, HIGH SPEED,HIGH VOLTAGE

Suitable for Lighting, Switching Regulator and Motor Control

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: MOSFET N-CH 12V 3.5A
Verpackung: 6-UFBGA, DSBGA
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
Lagerbestand: 21000 Kann sofort geliefert werden
Stückpreis: 0.60581
Menge. Stückpreis
1+: $0.60581
10+: $0.57152
100+: $0.53917
500+: $0.50865
1000+: $0.47986
Zwischensumme: $0.60581

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